[发明专利]阻性存储器件、初始化方法、和包括其的电子设备无效
| 申请号： | 201110319574.1 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102456398A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 朴哲佑;白寅圭;孙东贤;黄泓善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种阻性存储器件和初始化的方法。该阻性存储器件包括连接在位线与第一极板之间的第一组阻性存储单元和连接在位线与第二极板之间的第二组阻性存储单元。在与阻性存储单元的正常操作关联的正常路径之外，分别向第一和第二极板施加第一和第二初始化电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 初始化 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
一种阻性存储器件，包括：存储单元阵列，根据多条字线和多条位线布置阻性存储单元，其中第一组阻性存储单元连接在该多条位线与第一极板之间，而第二组阻性存储单元连接在该多条位线与第二极板之间；第一初始化焊盘，在初始化操作期间从该阻性存储器件外部的初始化设备接收第一初始化电压并向第一极板提供第一初始化电压；以及第二初始化焊盘，在初始化操作期间从该初始化设备接收第二初始化电压并向第二极板提供第二初始化电压，其中在与阻性存储单元的正常操作关联的正常路径之外，分别向第一和第二极板施加第一和第二初始化电压。
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