[发明专利]一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法有效

专利信息
申请号: 201110315850.7 申请日: 2011-10-17
公开(公告)号: CN103043710A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 王元生;牛牧童;黄烽 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C01G19/02 分类号: C01G19/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法。将预先获得的α-Fe2O3纳米晶体分散在Sn(OH)62-的乙醇溶液中,通过溶剂热反应在α-Fe2O3纳米晶上异质生长纳米SnO2,形成半导体异质结。本发明的制备方法过程简便、原料廉价、产率高,适用于目前文献报导的各种形貌和暴露面的α-Fe2O3纳米晶,且不受纳米晶表面残留的表面活性剂的影响。
搜索关键词: 一种 fe sub 纳米 表面 生长 sno 方法
【主权项】:
一种在α‑Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法,其特征为:将摩尔比例为1∶6~60的SnCl4和NaOH在乙醇中混合,形成Sn(OH)62‑乙醇溶液;将预先获得的α‑Fe2O3纳米晶体分散在Sn(OH)62‑溶液中,α‑Fe2O3纳米晶与Sn(OH)62‑的摩尔比为1∶1~50;将所得的混合液进行溶剂热反应,温度为180~240℃,反应时间为2小时以上。
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