[发明专利]一种具二维孔道结构的纳米复合材料及其制备方法无效
申请号: | 201110315075.5 | 申请日: | 2011-10-17 |
公开(公告)号: | CN102515136A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 刘玉荣 | 申请(专利权)人: | 重庆文理学院 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;C01B33/12;B82Y40/00;C08L61/06;C08K3/36;C08J9/26 |
代理公司: | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 50209 | 代理人: | 周韶红 |
地址: | 402160 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开的一种具二维孔道结构的介孔高分子或碳氧化硅复合材料,是采用PEO-PDMS-PEO为模板剂,酚醛树脂预聚体Resol为碳源前驱体,进行混合、反应得As-made中间体,再经焙烧制得;所述As-made中间体小角X射线散射(SAXS)图谱中,具有10、11和20晶面衍射峰,所述衍射峰的q值比为 |
||
搜索关键词: | 一种 二维 孔道 结构 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具二维孔道结构的纳米复合材料,其特征在于:它是采用三嵌段共聚物PEO-PDMS-PEO为模板剂,酚醛树脂预聚体Resol为碳源前驱体,进行混合、反应得As-made中间体,再经焙烧制得;所述模板剂PEO-PDMS-PEO和碳源前驱体Resol的质量比为1:1.7~2.6,所述As-made中间体,其小角X射线散射(SAXS)图谱中,具有10、11和20晶面衍射峰,所述衍射峰的q 值比为
。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆文理学院,未经重庆文理学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110315075.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。