[发明专利]极紫外（EUV）光刻胶超高真空热处理检测装置与方法有效
| 申请号： | 201110315017.2 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103048377A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 杨国强;田凯军;陈力;王双青;李沙瑜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种极紫外光刻胶超高真空加热处理的检测装置与方法，该装置操作简便，可以在实验室用于极紫外光刻胶配方工艺筛选，提供所考察的极紫外光刻胶的真空加热产气情况。利用本发明装置和检测方法，可以同时得到真空加热情况下产生气体的速率和总的产气量以及每种气体的分压。通过这些数据，可以确定在真空加热情况下极紫外光刻胶所产生的气体的种类和数量，为极紫外光刻胶的材料和配方筛选提供重要的实验数据。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 euv 光刻 超高 真空 热处理 检测 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种极紫外光刻胶超高真空加热处理的检测装置，其特征在于：包括真空系统、加热系统、质谱系统、中心控制系统，所述加热系统位于真空系统内，质谱系统与真空系统相连，所述中心控制系统通过电脑来集中控制真空系统、加热系统、质谱系统，进行数据采集与计算。
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