[发明专利]一种锥形多层脊波导结构及其制作方法有效
申请号: | 201110313020.0 | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN103048733B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 李冰;叶果;李小刚 | 申请(专利权)人: | 上海圭光科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/10 | 分类号: | G02B6/10;G02B6/136 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200433 上海市杨*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种锥形多层脊波导结构及其制作方法。所述锥形多层脊波导结构的层数为三层以上,包括耦合端和压缩端,其中,位于非底层和非顶层的台阶的高度从耦合端到压缩端逐渐减小。本发明公开的制作方法,工艺实施顺序是先刻蚀,接着进行外延生长单晶硅,然后对外延生长单晶硅进行刻蚀成型。首先在硅片上刻蚀形成硅槽,定义出目标器件区;填充硅槽,并对硅片表面平坦化后,在硅片上沉积选择性外延掩模物质;然后在目标器件区上选择性外延生长单晶硅;最后对选择性外延生长单晶硅刻蚀成型。本发明公开的多层脊波导结构可以有效的减小脊波导的传输损耗,同时提高脊波导的耦合效率;其制作方法则无需克服微负载效应,简化了工序。 | ||
搜索关键词: | 一种 锥形 多层 波导 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种锥形多层脊波导结构,其层数为三层以上,包括耦合端和压缩端,其特征在于,位于非底层和非顶层的台阶的高度从耦合端到压缩端逐渐减小,各层台阶的宽度从耦合端到压缩端逐渐减小。
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