[发明专利]一种晶硅电池的三步变温扩散工艺在审
申请号: | 201110308413.2 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN102383198A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 何晨旭;杨雷;殷海亭;凌振江;陈阳泉;王冬松;王步峰 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | C30B31/18 | 分类号: | C30B31/18;H01L31/18 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 王立晓 |
地址: | 277600 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种晶硅电池的三步变温扩散工艺,将制绒后的硅片进舟后先升温到700~810℃通入大氮、小氮和氧气进行低温预沉积扩散;再升温到810~830℃,通入大氮进行推结;然后通入大氮、小氮和氧气,将炉温升高到830~870℃进行再次沉积扩散。本发明扩散后形成的多级PN结结构,一方面能够保证与金属栅线形成良好的欧姆接触;另一方面能够有很好的蓝光响应;除此之外,此种方法形成的PN结的结深较大,可以减少PN结烧穿、漏电、复合的发生几率。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 三步变温 扩散 工艺 | ||
【主权项】:
一种晶硅电池的三步变温扩散工艺,其特征是,包括步骤如下:(1)将制绒后的硅片进舟后先升温到700~810℃通入大氮、小氮和氧气进行低温预沉积扩散;(2)升温到810~830℃,通入大氮进行推结;(3)通入大氮、小氮和氧气,将炉温升高到830~870℃进行再次沉积扩散。
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