[发明专利]一种光阻穿透效果的简易测试方法无效
| 申请号： | 201110308000.4 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102539476A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赖朝荣;邓建宁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N25/72 | 分类号： | G01N25/72 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光阻穿透效果的简易测试方法，其中，包括有一晶圆，首先对所述晶圆进行热波仪探测，检测所述晶圆的晶格损伤度，然后在所述晶圆上覆盖光阻，并将覆盖有所述光阻的所述晶圆送至离子注入机进行注入，最后用湿法刻蚀和干法刻蚀对所述晶圆去除表面光阻，并用热波仪再次探测所述晶圆。使用本发明一种光阻穿透效果的简易测试方法，整个流程只需一天的时间即可测试出光阻穿透的效果，相比于现有技术需要一个星期的测试周期，大大缩短了开发周期。而且对于光阻穿透造成晶格损伤度增大的晶圆可以通过热退火的方法修复，从而达到了重复利用，节省了晶圆的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 穿透 效果 简易 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种光阻穿透效果的简易测试方法，其特征在于，包括有一晶圆，首先对所述晶圆进行热波仪探测，检测所述晶圆的晶格损伤度，然后在所述晶圆上覆盖光阻，并将覆盖有所述光阻的所述晶圆送至离子注入机进行注入，最后用湿法刻蚀和干法刻蚀对所述晶圆去除表面光阻，并用热波仪再次探测所述晶圆。
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