[发明专利]基于磁场力的平行大通量单分子力谱方法有效

专利信息
申请号: 201110301093.8 申请日: 2011-09-28
公开(公告)号: CN102507724A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 邵志峰;沈轶;丹尼尔·恰可夫;李小卫;孙洁林;胡钧 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01N27/72 分类号: G01N27/72
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出一种基于磁场力的平行大通量单分子力谱方法,将单个分子连接于磁珠之上,放置于线圈中。通过直流升压电路对电容充电获得高电压,然后使电容对电磁线圈放电,线圈电流上升至一定水平后,直流稳压电源开始稳定对线圈供电,从而在短时间内迅速在线圈外部产生一个稳定磁场,对多个磁珠产生基本相同作用力。通过显微镜观察磁珠衍射斑的变化,判断磁珠相对基底之间的移动距离,使用相机间隔设定时间成像,从而可以同时得到多个分子进行单分子力谱测量。
搜索关键词: 基于 磁场 平行 通量 分子力 方法
【主权项】:
一种基于磁场力的平行大通量单分子力谱方法,其特征在于,包括下列步骤:通过直流升压电路对电容充电,然后使电容对电磁线圈放电,电磁线圈中电流上升;当电磁线圈电流上升至设定水平后,直流稳压电源开始稳定对电磁线圈供电,从而在电磁线圈外部产生一个稳定磁场;将磁珠连接于分子一端,将分子另一端连接与基底表面,或者在基底表面连接另一类分子,两类分子通过特定相互作用连接;将包括磁珠与基底的样品置于电磁线圈附近,通过开启控制电磁线圈电流来控制磁场的开启与大小,进而控制磁珠所受磁场力的大小;使用倒置显微镜和相机追踪记录磁珠位置,从而获得分子形变以及相互作用信息。
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