[发明专利]一种提高分辨率的光刻工艺有效
申请号: | 201110299002.1 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN103034047A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 章磊;韩传友;段立峰;徐涛 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F1/38 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种提高分辨率的光刻工艺,包括:于一基底表面设置硬掩模层(hardmask),所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,其特征在于,所述第二表面包括至少一个楔形面;在所述楔形面涂覆一层光刻胶,并于所述光刻胶中形成一图形(pattern);垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀,移除部分的硬掩模层,将所述图形转换到所述硬掩膜层上;去除所述光刻胶;以及垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀,移除部分的基底,将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。本光刻工艺可以在光源等技术参数不变的情况下提高光刻机的分辨率。 | ||
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【主权项】:
一种提高分辨率的光刻工艺,包括:于一基底表面设置硬掩模层(hard mask),所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,其特征在于,所述第二表面包括至少一个楔形面;在所述楔形面涂覆一层光刻胶,并于所述光刻胶中形成一图形(pattern);垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀,移除部分的硬掩模层,将所述图形转换到所述硬掩膜层上;去除所述光刻胶;以及垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀,移除部分的基底,将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。
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