[发明专利]一种不含温度传感器的多级温度控制自刷新存储设备及其方法有效
| 申请号： | 201110295340.8 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103035283A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 解玉凤;林殷茵;孟超;程宽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器(101)、分频器(102)以及DRAM阵列，该设备还包括扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)、选择电路(300)、多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，分频器(102)将输入频率frq分频成多个输出频率Refrq1，Refreq2，…Refrqn，衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)通过写入编码信号Code，即外部设置码，生成选择信号Refsel，提供给选择电路(300)，选择电路模块300在扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)的设置控制下从(VBB1，Refrq1)、(VBB2，Refrq2)、……(VBBn，Refrqn)中选择一组输出到DRAM阵列的刷新频率Refrq和晶体管衬底电压VBB上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度传感器 多级 温度 控制 刷新 存储 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器(101)、分频器(102)以及DRAM阵列，其特征在于，该设备还包括扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)、选择电路(300)、多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)：分频器(102)将输入频率frq分频成多个输出频率Refrq1，Refreq2，…Refrqn，衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)通过写入编码信号Code，即外部设置码，生成选择信号Refsel，提供给选择电路(300)，选择电路模块300在扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)的设置控制下从(VBB1，Refrq1)、(VBB2，Refrq2)、……(VBBn，Refrqn)中选择一组输出到DRAM阵列的刷新频率Refrq和晶体管衬底电压VBB上。
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