[发明专利]一种快速响应薄膜热电偶温度传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110287620.4 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103017922A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 蓝镇立;谢贵久;肖友文;何峰;张建国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速响应薄膜热电偶温度传感器及其制造方法，它具有一个陶瓷衬底及一个沉积在陶瓷衬底(11)的主表面上的AlN缓冲层(12)，并在缓冲层表面沉积有Pt-PtRh13功能薄膜(13)及由此搭接形成的热结点(14)，一个绝缘保护膜(15)至少在陶瓷衬底(11)的主表面上的热结点(14)中完整的沉积覆盖，但除了用于引线连接的引线区域(19)以外，一个Pt浆料烧结层(17)被用于功能薄膜(13)与引线(16)的连接，实现电动势信号的输出和检测，一个保护釉层(18)至少在陶瓷衬底(11)的主表面上的铂浆料层上完整覆盖，但不包括热结点(14)，利用本发明方法制造的热电偶温度传感器，具有体积小、耐腐蚀、可靠性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 响应 薄膜 热电偶 温度传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快速响应薄膜热电偶温度传感器，其特征在于，陶瓷衬底(11)的上表面沉积有AlN缓冲层(12)，AlN缓冲层(12)上沉积有功能薄膜(13)，功能薄膜(13)包括Pt薄膜和PtRh13薄膜，Pt薄膜和PtRh13薄膜重叠搭接处有热结点(14)，功能薄膜(13)靠近热结点(14)的一端和热结点(14)上有Al2O3绝缘保护膜(15)，功能薄膜(13)远离热结点(14)的一端为引线区域(19)，引线区域(19)上设有引线(16)，Al2O3绝缘保护膜(15)远离热结点(14)一端的表面上有由Pt浆料组成的导电胶层(17)，导电胶层(17)将引线区域(19)与引线(16)连接起来，导电胶层(17)上覆盖有Al2O3釉料层(18)。
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