[发明专利]一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法

摘要

一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法，采用超高真空三靶共沉积磁控溅射镀膜机制备，本步骤如下：1)在镀膜机的靶头上分别安装一个Ti靶和Fe靶；2)将玻璃基底安装基底架上；3)开启磁控溅射设备给溅射室抽真空；4)向真空室通入O2和Ar的混合气体，使得真空室中的真空度为1Pa；5)开启溅射直流电源，分别在Ti靶Fe靶上施加电流和电压；6)打开基片的挡板，转动基片架，在基片上生长薄膜；7)溅射完成后，向真空室充入氮气，即可制得的目标产品。本发明的优点是：该工艺方法工艺简单、易于实施，制得的薄膜具有较高的室温磁电阻效应；生产成本低，适于大规模推广应用。

主权项

一种大磁电阻效应Fe‑Ti‑O非晶态薄膜的制备方法，其特征在于：采用超高真空三靶共沉积磁控溅射镀膜机制备，本步骤如下：1) 在镀膜机的靶头上分别安装一个Ti靶和Fe靶；2)将玻璃基底表面杂质清除后，安装基底架上，基片在上方，靶在下方，基片与靶的距离为13 cm；3)开启磁控溅射设备，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空，直至溅射室的背底真空度大于8.5×10–6 Pa；4)向真空室通入O2和Ar的混合气体，使得真空室中的真空度为1 Pa；5)开启溅射直流电源，分别在Ti靶Fe靶上施加电流和电压，预溅射20分钟，等溅射电流和电压稳定；6)打开基片的挡板，同时以每分钟2转的速率转动基片架，在基片上生长铁掺杂二氧化钛非晶态薄膜；7)生长薄膜15分钟后，关闭基片的挡板，基片架停止转动，然后关闭溅射电源，停止通入溅射气体Ar和O2，继续抽真空半小时后关闭真空系统，然后向真空室充入纯度为99.999%的氮气，直到真空室的气压与外面大气压相同时，打开真空室取出制得的目标产品。