[发明专利]一种含4-羟基香豆素的镉插层荧光材料及其合成方法无效
申请号: | 201110284811.5 | 申请日: | 2011-09-22 |
公开(公告)号: | CN103012449A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 沈超君;吴新涛;盛天录;傅瑞标;胡胜民 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C07F3/08 | 分类号: | C07F3/08;C09K11/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种含4-羟基香豆素的镉插层荧光材料及其合成方法,涉及荧光材料领域。该材料的分子式为{[Cd(4,4′-bpp)2(H2O)2]·2(4-Hcm-)·H2O}n,为浅黄色晶体,采用溶液法合成,纯度高。本发明中,在室温下,{[Cd(4,4′-bpp)2(H2O)2]·2(4-Hcm-)·H2O}n在紫外线照射下发出明亮的蓝色荧光,量子产率为12%,强度比游离的荧光分子和主体金属有机框架都有显著的增强。该制备方法新颖、技术简单、设备要求不高、成本低廉,由于样品为晶体状态,且纯度高,热稳定性较好,具有可调控性,可望成为一类新的荧光发光材料,并可用于制作荧光发光器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 羟基 香豆素 镉插层 荧光 材料 及其 合成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种含4-羟基香豆素的镉插层荧光材料,其特征在于:该材料的化学式为{[Cd(4,4′-bpp)2(H2O)2]·2(4-Hcm-)·H2O}n,为单斜晶系,空间群为P21/c;单胞参数为
β=101.417(4)°,
Z=4。
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