[发明专利]一种磁光双功能同轴纳米电缆及其制备方法有效
| 申请号： | 201110284141.7 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102592716A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 董相廷;马千里;王进贤;于文生;刘桂霞 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01B7/00 | 分类号： | H01B7/00;H01B13/016;D01D5/00;D01D5/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种磁光双功能同轴纳米电缆及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括四个步骤：(1)沉淀法制备Fe3O4纳米晶；(2)沉淀法制备Eu(BA)3phen配合物；(3)配制纺丝液，以Fe3O4纳米晶、聚乙烯吡咯烷酮PVP、N，N-二甲基甲酰胺DMF和去离子水的混合液为芯层纺丝液，以Eu(BA)3phen配合物、PVP、DMF和氯仿CHCl3的混合液为壳层纺丝液；(4)制备(Fe3O4+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光双功能同轴纳米电缆，采用同轴静电纺丝技术，参数为：电压15kV；固化距离14cm；室温20～25℃，相对湿度为55％～65％，电缆直径为264-331nm，芯层直径为112-151nm，壳层厚度为76-90nm，长度大于500μm。这种具有磁光双功能、结构新颖的同轴纳米电缆，将在未来纳米结构器件和医疗诊断治疗中具有重要的应用。本发明的方法简单易行，可以批量生产，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁光双 功能 同轴 纳米 电缆 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁光双功能同轴纳米电缆，其特征在于，电缆直径为264‑331nm，芯层直径为112‑151nm，壳层厚度为76‑90nm，长度大于500μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110284141.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大口径超精密测量机的半球定心平面支承转台结构
- 下一篇：快速更换式排气阻火器
