[发明专利]一种用于刻蚀光阻材料的大气压冷等离子体射流装置有效
申请号: | 201110276429.X | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN102333410A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 王立军;傅明政;贾申利;宁文军;史宗谦 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于刻蚀光阻材料的大气压冷等离子体射流装置,采用氩气作为工作气体,氩气瓶外接流量控制阀,转动控制阀调节气体流量的大小,通过外接的气体流量表测出气体流量;然后,气体流量表接到聚四氟乙烯管上;聚四氟乙烯管末端接陶瓷管;高电压低频率功率源接到功率电极上,采用金属细丝环作为功率电极,放电在金属环产生后,被气流吹出腔体产生射流,射流到达基片上,进行光阻材料刻蚀。本发明能够在大气压条件下对光阻材料进行均匀而且干净地刻蚀,避免刻蚀后黑色斑点出现,这在半导体制造业光刻工艺中尤为重要,可以进行均匀刻蚀,避免基片损坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 刻蚀 材料 大气压 等离子体 射流 装置 | ||
【主权项】:
一种用于刻蚀光阻材料的大气压冷等离子体射流装置,其特征在于:包括氩气瓶、流量控制阀、气体流量表、聚四氟乙烯管、高压探针、功率电极、高电压低频率功率源、光纤、等离子体射流、样品和发射光谱仪;所述氩气瓶外接流量控制阀,流量控制阀上连接气体流量表,气体流量表接到聚四氟乙烯管,聚四氟乙烯管末端接陶瓷管;所述高电压低频率功率源外接功率电极,功率电极设置在陶瓷管外壁;所述陶瓷管端口对应处设置样品,在样品与陶瓷管端口之间存在等离子体射流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110276429.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。