[发明专利]磁传感器的偏置场生成有效
| 申请号： | 201110275173.0 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102435962A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | K.埃利安;R.赫尔曼;J.斯特林;T.韦特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王洪斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本发明提供一种设备，其包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 偏置 生成 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括： 具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。
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