[发明专利]一种细化过共晶铝硅合金初晶硅组织的方法无效

专利信息
申请号: 201110267914.0 申请日: 2011-09-09
公开(公告)号: CN102337417A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 祖方遒;陈忠华;韩严法;席赟;黄中月;刘兰俊 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C1/06;C22C21/02
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 何梅生
地址: 230009 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种细化过共晶铝硅合金初晶硅组织的方法,是将经历了熔体性质与结构状态变化之后的高温合金熔体与处于特定半固态温度区间的低温合金熔体按1∶1-2∶1的质量比混熔得到混合合金熔体,在覆盖剂的保护下将混合合金熔体降温至720-750℃,浇注并降温凝固后得到过共晶铝硅合金铸件。本发明不需添加变质剂,避免了通常所用变质剂对生产及社会环境造成的严重污染,在普通铸造的较快冷却条件下(8-10℃/秒),可使初晶硅平均尺寸由50μm左右细化到11-13μm,且分布趋于均匀,硅晶粒棱角钝化。
搜索关键词: 一种 细化 共晶铝硅 合金 初晶硅 组织 方法
【主权项】:
一种细化过共晶铝硅合金初晶硅组织的方法,其特征在于按以下步骤操作:a、将铝硅合金原料按配比量混合后升温至760 790℃熔炼,熔清后保持温度不变进行精炼得到合金液,在覆盖剂的保护下将所述合金液升温至1080 1150℃均温20 30分钟,随后降温至950℃,精炼后得到高温合金熔体;b、将铝硅合金原料混合后升温至760 790℃熔炼,熔清后保持温度不变进行精炼,随后在覆盖剂的保护下降温至特定半固态温度区间保温30分钟得到低温合金熔体;所述特定半固态温度区间为铝硅合金组分对应的液相线温度以下20 40℃;c、将步骤a得到的高温合金熔体和步骤b得到的低温合金熔体以1∶1 2∶1的质量比混熔得混合合金熔体,在覆盖剂的保护下将所述混合合金熔体降温至720 750℃,浇注并降温凝固后得到过共晶铝硅合金铸件。
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