[发明专利]电极薄膜和坐标检测装置无效

专利信息
申请号: 201110265647.3 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102446577A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 若生任志;高浜吉隆 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;G06F3/044
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及电极薄膜和坐标检测装置,该电极薄膜包括基板和层压板,该层压板包括:高折射率层,该高折射率层层压在该基板上并且由高折射率材料制成,该高折射率材料具有大于1.50的绝对折射率并且具有大于等于2nm且小于等于20nm的厚度;低折射率层,该低折射率层层压在该高折射率层上并且由低折射率材料制成,该低折射率材料具有小于1.50的绝对折射率并且具有大于等于10nm且小于等于100nm的厚度;以及被图案化的电极层,该被图案化的电极层层压在该低折射率层上并且由透明导电材料形成,并且该被图案化的电极层具有小于等于350Ω/□的表面阻抗,所述层压板具有大于等于85%的全光透过率,该全光透过率由JIS K-7105规定,并且该全光透过率因该电极层的有/无而产生的差异小于2%。
搜索关键词: 电极 薄膜 坐标 检测 装置
【主权项】:
一种电极薄膜,其包括:基板,所述基板具有光透过性;以及层压板,所述层压板包括高折射率层,所述高折射率层层压在所述基板上并且由高折射率材料制成,所述高折射率材料具有大于1.50的绝对折射率,并且所述高折射率层具有大于等于2nm且小于等于20nm的厚度,低折射率层,所述低折射率层层压在所述高折射率层上并且由低折射率材料制成,所述低折射率材料具有小于1.50的绝对折射率,并且所述低折射率层具有大于等于10nm且小于等于100nm的厚度,以及被图案化的电极层,所述被图案化的电极层层压在所述低折射率层上并且由透明导电材料制成,并且所述被图案化的电极层具有小于等于350Ω/□的表面阻抗,所述层压板具有大于等于85%的全光透过率,所述全光透过率由JISK‑7105规定,并且所述全光透过率因所述电极层的有/无而产生的差异小于2%。
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