[发明专利]一种石墨烯/二氧化锰纳米复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 201110253153.3 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102354611A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 胡婕;黄浩 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 大连一通专利代理事务所(普通合伙) 21233 | 代理人： | 刘建年 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种石墨烯/二氧化锰纳米复合材料，使用自制的薄层石墨烯材料为还原剂，采回流冷凝方法在低温下将高锰酸钾还原获得的复合材料；其制备方法主要是以石墨纸为阳极，碳棒为阴极，浓硫酸（浓度98%）为电解液，进行氧化剥离，制备出石墨烯氧化物粉体；再将其制备成石墨烯材料，将高锰酸钾加入到石墨烯悬浮液中，经过加热、分离、洗涤、在真空下烘干。本发明工艺简单，成本低，采用本发明获得的复合材料呈多孔网络状，且晶粒尺寸较小，分布较均匀，中二氧化锰的含量为16～82%。同时表面的多孔网状结构使得质子的扩散系数更大，更容易进入活性物质内部，从而使该复合材料具有良好的电化学性能，导电性能优良，可适合作为超级电容器的电极材料使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 二氧化锰 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯/二氧化锰纳米复合材料，其特征在于：该复合材料是一种平均厚度为1nm，片层宽度约为3μm，二氧化锰在石墨烯片的两面均能成核生长，且为多孔网状结构的复合材料。
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