[发明专利]金刚石线切割硅晶片的清洗方法有效
| 申请号： | 201110251543.7 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102294332A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 于景;俞建业;曾斌;叶平;欧阳思周;汤玮;胡凯 | 申请（专利权）人： | 江西金葵能源科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12 |
| 代理公司： | 萍乡益源专利事务所 36119 | 代理人： | 张放强 |
| 地址： | 337000 江西省萍*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了金刚石线切割硅晶片的清洗方法，先将硅晶片放入超声波清洗机中脱胶，再将硅晶片放入30-50℃的纯水中使用超声波进行清洗，然后将硅晶片放入加有乳酸且温度为60-80℃的的纯水槽中清洗并去除硅晶片表面残胶，而后将硅晶片放入插片机进行插片，再将硅晶片放入纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为40-60℃的硅片清洗剂、氢氧化钠和水的混合液中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为20-30℃的纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为100-140℃的甩干机中甩干。本发明能有效去除硅晶片表面脏污，达到太阳能电池用硅晶片表面要求；对金刚石线切割硅晶片进行类制绒，可提高后续电池片制绒效果，清洗废水经简单处理后可达标排放。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 切割 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
金刚石线切割硅晶片的清洗方法，其特征在于：先将硅晶片放入超声波清洗机中脱胶，再将硅晶片放入30 50℃的纯水中使用超声波进行清洗，然后将硅晶片放入加有乳酸且温度为60 80℃的的纯水槽中清洗并去除硅晶片表面残胶，而后将硅晶片放入插片机进行插片，再将硅晶片放入纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为40 60℃的硅片清洗剂、氢氧化钠和水的混合液中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为20 30℃的纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为100 140℃的甩干机中甩干。
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