[发明专利]一种超疏水性非晶态合金表面微结构的制备方法无效
| 申请号： | 201110248905.7 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102328902A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李宁;夏婷;许巍;柳林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C22C45/10;C22C45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超疏水性非晶态合金表面微结构的制备方法，包括：(1)绘制微结构的二维矢量图；(2)根据所述微结构二维矢量图，加工掩膜板，在单晶硅片上蚀刻出微结构的阴母模；(3)将金属原料按照一定原子比进行配比，然后在真空条件下电弧/感应熔炼，再采用铜模吸铸/喷铸法制备出非晶态合金样品；(4)将硅模和非晶态合金样品放置在夹具中，升温至设定温度，热压成形；(5)取出成形体并放入碱性溶液中，待硅完全溶解后，即得到表面具有三维微结构的非晶态合金。本发明方法制备的非晶态合金表面微结构，形状、尺寸及分布可控，具有超疏水性，在航天航空、国防军事以及工业生产等领域具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 非晶态合金 表面 微结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超疏水性非晶态合金表面微结构的制备方法，具体包括如下步骤：(1)制作微结构的平面图；(2)硅模制备根据所述微结构的平面图加工掩膜板，采用深反应离子蚀刻技术，在单晶硅片上蚀刻出微结构的阴母模；(3)非晶态合金样品制备将金属原料按照一定原子比进行配比，然后在真空条件下电弧/感应熔炼，再采用铜模吸铸/喷铸法制备出一定尺寸的非晶态合金样品；(4)非晶态合金表面微结构的热压成形将硅模和非晶态合金样品依次放置在夹具中，升温至设定温度，再在一定速率条件下热压成形；(5)冷却脱模热压成形结束后，取出成形体并放入碱性溶液中，待硅完全溶解后，即得到表面具有三维微结构的非晶态合金。
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