[发明专利]一种低蚀刻光刻胶清洗液无效
| 申请号： | 201110247935.6 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102955380A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;孙广胜 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低蚀刻的光刻胶清洗液及其组成。这种低蚀刻的光刻胶清洗液含有：(a)季铵氢氧化物，(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇，(c)含有五个碳和/或六个碳的多元醇，(d)水，(e)其它助溶剂。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂能够高效的去除半导体晶圆上的光刻胶，同时对于基材基本没有攻击如金属铝、铜等，在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 光刻 清洗 | ||
【主权项】：
一种低蚀刻光刻胶清洗液，该清洗液包含(a)季铵氢氧化物、(b)含有两个碳和/或三个碳的多元醇、(c)含有五个碳和/或六个碳的多元醇、(d)水和(e)助溶剂。
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