[发明专利]碳纳米管/硅巢状阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的应用无效
| 申请号： | 201110231296.4 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102323248A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 姜卫粉;李幸福;单雯雯;王玉生;宋晓燕;李艺星;许磊;张静;罗世钧 | 申请（专利权）人： | 华北水利水电学院 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 陈浩 |
| 地址： | 450011*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米管/硅巢状阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的应用，采用碳纳米管/硅巢状阵列活性基底用于检测溶液中若丹明6G分子时，可检测出溶液中浓度为10-6mol/L的若丹明6G分子。碳纳米管/硅巢状阵列活性基底的表面增强拉曼散射效应能力可以和金、铜纳米材料的相媲美，甚至优于金和铜纳米材料的表面增强拉曼散射能力。碳纳米管/硅巢状阵列活性基底不使用金、银、铜币种金属，造价低。碳纳米管/硅巢状阵列活性基底无毒无害，并且性能稳定，可以在空气中自然存放数年而不发生性能的改变。另外，还具有制备工艺简单、重复率高、应用范围广等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 硅巢状 阵列 作为 具有 表面 增强 散射 效应 活性 基底 应用 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管/硅巢状阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的应用。
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