[发明专利]光面粗化电解铜箔的制造工艺

摘要

本发明涉及一种光面粗化电解铜箔的制造工艺，其包括在一条生产线上连续完成的酸洗工序、光面粗化第一工序、光面粗化第二工序、光面固化第一工序、光面固化第二工序、双面防氧化工序、双面钝化工序、光面偶联剂工序。所述光面粗化电解铜箔的制造工艺制造的光面粗化电子铜箔与现有相关技术产品相比具有铜牙短，易于蚀刻，阻抗控制性强的优点，且用于下游产品生产，无需进行黑化微蚀、粗化处理，缩短了制作进程，降低短路及断路率，同时具有常规高精度或双面粗化电解铜箔的品质，生产成本低，更适合用于高精细多层板的内层和高密度细线PCB板的制作。

主权项

一种光面粗化电解铜箔的制造工艺，其包括在一条生产线上连续完成的酸洗工序、光面粗化第一工序、光面粗化第二工序、光面固化第一工序、光面固化第二工序、双面防氧化工序、双面钝化工序、光面偶联剂工序，其特征在于，所述酸洗工序的工作条件为温度：30～60℃、硫酸：90～160g/L、铜离子：20～40g/L；所述光面粗化第一工序的工作条件为电流密度：25～40A/dm2、温度：30～60℃、硫酸：90～160g/L、铜离子：20～40g/L；所述光面粗化第二工序的工作条件为电流密度：20～30A/dm2、温度：30～60℃、硫酸：90～160g/L、铜离子：20～40g/L、钨离子0.001～0.005g/L、十二烷基硫酸钠：0.01～0.03g/L；所述光面固化第一工序的工作条件为电流密度：20～40A/dm2、温度：40～60℃、硫酸：70～150g/L、铜离子：40～75g/L；所述光面固化第二工序的工作条件为电流密度：20～40A/dm2、温度：40～60℃、硫酸：70～150g/L、铜离子：40～75g/L；所述双面防氧化工序的工作条件为电流密度：5～10A/dm2、温度：40～50℃、焦磷酸钾：70～155g/L、锌离子：4～10g/L、镍离子：0.5～1.0g/L、酸碱度PH值：10～12；所述双面钝化工序的工作条件为电流密度：5～10A/dm2、温度：30～40℃、六价铬离子：0.5～2.0g/L、酸碱度PH值：11～13；所述光面偶联剂工序的工作条件为温度：20～30℃、有机膜偶联剂：0.5～1.0g/L。