[发明专利]一种CVD反应腔体清洁方法无效
| 申请号： | 201110227478.4 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102921680A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赵强;刘长安;陶晟;周军;李文静 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/00 | 分类号： | B08B9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD反应腔体清洁方法，包括：A、按照正常清洁过程中所需的温度和压力范围，设置CVD反应腔体的温度参数和压力参数；B、向所述反应腔体内通入清洁气体，清洁气体的流量由正常清洁时所需流量逐渐增大至预设流量；C、通入预设时间的所述清洁气体后，抽去反应腔体内的清洁气体，以清除反应腔体内杂质颗粒；D、重复步骤B和C，直至将反应腔体中的杂质清洁干净。该方法对反应腔体的清洁力度较强，能减少反应腔体内的杂质颗粒的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 反应 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种CVD反应腔体清洁方法，其特征在于，包括：A、按照正常清洁过程中所需的温度和压力范围，设置CVD反应腔体的温度参数和压力参数；B、向所述反应腔体内通入清洁气体，所述清洁气体的流量由正常清洁时所需流量逐渐增大至预设流量；C、通入预设时间的所述清洁气体后，抽去反应腔体内的所述清洁气体，以清除所述反应腔体内杂质颗粒；D、重复步骤B和C，直至将所述反应腔体中的杂质清洁干净；其中，在通入所述清洁气体的过程中，保持所述反应腔体内的温度和压力的变化范围在预设误差范围内。
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