[发明专利]锂离子二次电池用铜箔及其制造方法无效
| 申请号： | 201110226729.7 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102569745A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 伊藤保之;笠原庆一郎 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/24 | 分类号： | H01M4/24;B21B1/40;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种锂离子二次电池用铜箔及其制造方法，该铜箔不会有被充放电时的反复应力破损担心，且提高了可靠性，容易制造。本发明的锂离子二次电池用铜箔为在与正极之间隔着隔膜卷绕成负极的锂离子二次电池用铜箔。该铜箔中具有(200)晶体取向的偏离角度在15度以内的晶体取向的晶粒，在铜箔表面的面积比例为50～100％。所使用的锂离子二次电池用铜箔通过如下方法来制造：将铜铸锭进行热轧，轧制成预先规定的厚度，将该热轧材料反复进行冷轧和消除应力退火而形成规定厚度的铜板，铜板退火后进行冷轧来得到铜箔，在作为非活性气体的氮气气氛中对铜箔实施热，以轧制加工度91～99％来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 锂离子 二次 电池 铜箔 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锂离子二次电池用铜箔，其是作为与正极之间隔着隔膜而卷绕的负极来使用的锂离子二次电池用铜箔，其特征在于，所述铜箔中具有(200)晶体取向的偏离角度在15度以内的晶体取向的晶粒，在铜箔表面的面积比例为50～100％。
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