[发明专利]硅单晶生产方法

摘要

根据本发明的硅单晶生产方法将允许抑制变形和位错，还成功省略了尾部区域。硅单晶生产方法包括以下步骤，在水平磁场影响下生长硅单晶2的直体区域4，该水平磁场在其磁中心L2处的磁通量密度等于或大于1000高斯且等于或小于2000高斯，接着将硅单晶相对于熔体32的表面的相对提升速度降低至0毫米/分钟，接着维持静态直至硅单晶视重量降低为止，接着进一步维持静态，以使得硅单晶的整个生长正面将形成在与硅单晶提升方向相反的方向上突出的凸起形状，且最终将硅单晶从熔体分离。

主权项

一种基于恰克拉斯基方法的硅单晶生产方法，包括以下步骤：(1)在对坩埚中容纳的原料熔体施加的水平磁场影响下，通过提升所述硅单晶而生长出所述硅单晶的直体区域，所述水平磁场在其磁中心处具有等于或大于1000高斯且等于或小于2000高斯的磁通量密度；(2)在所述步骤(1)后，将所述硅单晶相对于所述熔体表面的相对提升速度降低至0毫米/分钟；(3)在所述步骤(2)后，维持所述硅单晶的相对提升速度保持为0毫米/分钟的静态直至所述硅单晶的视重量降低为止；(4)在所述步骤(3)后，进一步维持所述静态，以使得所述硅单晶面向所述熔体的整个生长正面形成凸起形状，该凸起形状在与所述硅单晶的提升方向相反的方向上突出；以及(5)在所述步骤(4)后，将所述硅单晶从所述熔体分离。