[发明专利]传感器器件和制造方法在审
申请号: | 201110212712.6 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN102346165A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 纪尧姆·伯卡迪;马格利·休格特·艾利斯·兰伯特 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/416 | 分类号: | G01N27/416;G01N33/543;H01L23/532 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明公开了一种传感器器件(10),包括承载感测元件(110)的基板(100)以及在所述基板上用于为所述感测元件提供互连的金属化堆叠,所述金属化堆叠包括:被绝缘层(120a-d)分离的多个图案化金属层(130a-d),其中,第一金属层(130c)包括与感测元件导电地连接的电极部分(16),面对第一金属层的另一金属层(130d)包括基准电极部分(18),从金属化堆叠的顶部可访问的流体沟道(14)将电极部分和基准电极部分分离。本发明还公开了一种制造这种传感器器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 传感器 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种传感器器件(10),包括承载感测元件(110)的基板(100)以及在所述基板上用于为所述感测元件提供互连的金属化堆叠,所述金属化堆叠包括:被绝缘层(120a‑d)分离的多个图案化金属层(130a‑d),其中第一金属层(130c)包括与感测元件导电地连接的电极部分(16),面对第一金属层的另一金属层(130d)包括基准电极部分(18),从金属化堆叠的顶部可访问的流体沟道(14)将电极部分和基准电极部分分离。
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