[发明专利]一种多晶二氧化锡阻变薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种多晶二氧化锡阻变薄膜及其制备方法与应用。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备多晶二氧化锡半导体阻变薄膜。采用直流磁控溅射法制备镍顶电极和铂钛底电极测试多晶二氧化锡阻变薄膜的阻变特性。多晶二氧化锡阻变薄膜的高低阻态之比大于100，直流扫描可擦写次数大于250次，高低阻态维持时间大于106秒。该多晶二氧化锡阻变薄膜可作为阻变存储器的阻变材料。本发明还涉及以多晶二氧化锡薄膜为阻变材料的阻变存储器。本发明在非易失性存储领域具有良好的应用前景。

主权项

一种多晶二氧化锡阻变薄膜的制备方法，其特征在于以玻璃为基板，采用磁控溅射技术，具体步骤如下：(1) 使用金属锡靶或锡的氧化物靶；(2) 加热基板，控制基板温度为250 ~ 400 ℃之间；(3) 将O2和Ar气体通入反应室，控制O2反应气体的分压为7×10 2 Pa ~ 1.5×10 1 Pa，工作压强为3.0 ~ 6.0×10 1 Pa；(4) 控制磁控溅射电流为50 ~ 200 mA，溅射电压为300 ~ 450 V； (5) 溅射时间为10 ~ 30分钟，得到 二氧化锡阻变薄膜，其分子式为SnO2 x，0

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