[发明专利]一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法有效
| 申请号： | 201110196442.4 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102874744A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王连卫;彭波波;王斐;赖佳;顾林玲;王振 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法，其步骤包括：通过预处理定义刻蚀点的位置与图形，直至刻蚀点呈倒金字塔结构；纵向深刻蚀得到微通道；调节蚀刻电压或蚀刻电流的大小形成横向刻蚀，实现微通道与衬底的分离。本发明利用光电化学使硅微通道与硅衬底的剥离，避免了物理抛光对硅微通道的损坏以及化学腐蚀对硅表面带来的损坏，可以制备出300um以内的任意深度的p型宏孔硅（或称微通道）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型硅微 通道 衬底 分离 光电 化学 方法 | ||
【主权项】：
一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）预处理：在p型硅上生长二氧化硅掩膜层，将光刻胶涂于所述二氧化硅掩膜层上定义刻蚀点的位置与图形；再进行预腐蚀直至刻蚀点的位置呈现倒金字塔结构；（2）深刻蚀：调节光强激发硅片中载流子浓度，在腐蚀液中利用刻蚀电流对经步骤（1）预处理的所述p型硅进行纵向深刻蚀，形成微通道；（3）剥离：在氢氟酸性溶液中，调节蚀刻电压或蚀刻电流的大小使刻蚀电流在所述微通道的孔尖上方位置进行横向刻蚀，形成所述微通道与硅衬底的分离。
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