[发明专利]记忆体阵列的擦除方法有效
| 申请号： | 201110187321.3 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102855935A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 黃竣祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种记忆体阵列的擦除方法，此记忆体阵列包括多个记忆胞串，每个记忆胞串包括连接至多条字元线的多个记忆胞。此记忆体阵列的擦除方法包括下列步骤。提供第一电压至记忆体阵列的基底。提供第二电压至选定记忆胞的一字元线，并提供多个导通电压至其余的字元线。以及，分别提供第三电压与第四电压至选定记忆胞的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区，以利用带对带热空穴注入法来擦除选定记忆胞，其中第三电压不等于第四电压。藉此本发明利用记忆胞的自我升压或以直接施加电压的方式，通过带对带热空穴注入法实现了对特定记忆胞串内的选定记忆胞的擦除，使其他记忆胞不会受到擦除操作的影响，同时降低了擦除方法中所施加的操作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 阵列 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中该记忆体阵列包括多个记忆胞串，每一该些记忆胞串包括连接至多条字元线的多个记忆胞，该记忆体阵列的擦除方法包括以下步骤：提供一第一电压至该记忆体阵列的一基底；提供一第二电压至一选定记忆胞的一字元线，并提供多个导通电压至其余的字元线；以及分别提供一第三电压与一第四电压至该选定记忆胞的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区，以利用带对带热空穴注入法来擦除该选定记忆胞，其中该第三电压不等于该第四电压。
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