[发明专利]电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电子部件无效
| 申请号： | 201110185021.1 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102367211A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 樱井俊雄;岚友宏;小更恒;中野贵弘;中村知子;宫内泰治 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/16 | 分类号： | C04B35/16;C04B35/622;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电子部件。提供包括含有Mg2SiO4的主组分以及含有氧化锌和玻璃组分的添加剂的电介质陶瓷，其中在X射线衍射中，对于保持未反应的氧化锌的2θ为在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度IB相对于对于作为主相的Mg2SiO4的2θ为在36.0°至37.0°之间的峰强度IA的峰强度比IB/IA为10％以下。所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 陶瓷 生产 方法 电子 部件 | ||
【主权项】：
一种电介质陶瓷，其包括：含有Mg2SiO4的主组分；和含有氧化锌和玻璃组分的添加剂，其中在X射线衍射中，峰强度比IB/IA为10％以下，其中IA为对于作为主相的Mg2SiO4的2θ在36.0°至37.0°之间的X射线衍射峰强度，和IB为对于保持未反应的氧化锌的2θ在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度，和所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。
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