[发明专利]含涂层的SiC复合坩埚及制备法无效
申请号: | 201110179006.6 | 申请日: | 2011-06-29 |
公开(公告)号: | CN102260901A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 张洪齐 | 申请(专利权)人: | 罗万前 |
主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10;B32B9/04;B29C43/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610067 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种含涂层的SiC复合坩埚及制备法。本坩埚由SiC复合坩埚坯和耐高温隔离涂层组成;在热压机内压制并固化树脂与SiC颗粒的混合物成坩埚毛坯,用高温无氧炭化的方法使之转化成SiC复合坩埚坯;再加高温隔离层后,即为本发明的含涂层的SiC复合坩埚。本坩埚寿命长,对埚内的熔融硅污染极小;本制备法,可大量生产此坩埚,且节能,环保。 | ||
搜索关键词: | 涂层 sic 复合 坩埚 制备 | ||
【主权项】:
含涂层的SiC复合坩埚及制备法,其特征在于:本坩埚由SiC复合坩埚坯和内表面涂层构成;其制备法为:在热压机的模腔内,将热固性树脂与SiC颗粒的混合物压制成型、固化为多孔的坩埚毛坯;之后,在无氧的条件下用高温炭化的方式将毛坯的混合物中的树脂炭化或炭/硅化,转化为C/SiC或SiC/SiC的复合坩埚坯;最后,在坩埚坯的内表面,增设耐高温的隔离涂层。
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