[发明专利]宽输出范围的转换系统有效

专利信息
申请号: 201110170490.6 申请日: 2011-06-20
公开(公告)号: CN102323844A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 郑彦诚;黄健群 申请(专利权)人: 旭曜科技股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 王一斌;王琦
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种宽输出范围的转换系统,以接收一输入信号,其中,该输入信号具有第一位准电压及一第二位准电压,该转换系统将该输入信号转换成具有一第三位准电压及一第四位准电压的输出信号,当中,该第一位准电压值小于该第二位准电压值,该第二位准电压值小于该第三位准电压值,该第四位准电压值小于该第一位准电压值。该转换系统由六个晶体管组成,以降低晶体管的使用数量并降低电路面积,并进而将低功率消耗。
搜索关键词: 输出 范围 转换 系统
【主权项】:
一种宽输出范围的转换系统,其特征在于,该宽输出范围的转换系统包含:一第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极连接一输入端用以接收一输入信号,源极连接至一第一位准电压,其中,所述输入信号具有所述第一位准电压及一第二位准电压;一第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的栅极连接所述输入端以接收所述输入信号,源极连接至所述第二位准电压;一第二PMOS晶体管,所述第二PMOS晶体管的漏极连接至所述第一NMOS晶体管的漏极,源极连接至一第三位准电压;一第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管的漏极连接至所述第一PMOS晶体管的漏极,源极连接至一第四位准电压;一第三PMOS晶体管,所述第三PMOS晶体管的栅极连接至所述第二PMOS晶体管的漏极,源极连接至所述第三位准电压,漏极连接至所述第二PMOS晶体管的栅极;以及一第三NMOS晶体管,所述第三NMOS晶体管的栅极连接至所述第二NMOS晶体管的漏极,源极连接至所述第四位准电压,漏极连接至所述第二NMOS晶体管的栅极,并连接至所述第三PMOS晶体管的漏极用以作为一输出端;所述第一位准电压值小于所述第二位准电压值,所述第二位准电压值小于所述第三位准电压值,所述第四位准电压值小于所述第一位准电压值。
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