[发明专利]铸造法生产类似单晶硅锭化料加热方法无效
| 申请号： | 201110160794.4 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102242390A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 石坚;熊涛涛 | 申请（专利权）人： | 安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人： | 王好勤 |
| 地址： | 456400 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭化料加热方法，涉及硅锭化料加热方法，铸锭炉从室温开始升温至预定的最高温度过程中，采用以下控制措施：a在TC1≤1170摄氏度时，控制ΔT≤800摄氏度；b在TC1达到＞1170摄氏度时，控制150摄氏度≤ΔT≤400摄氏度；c当TC1达到预定的最高温度，进入抓晶种阶段。本发明的有益效果在于：通过本方法的运用，在加温过程中，控制温度梯度在陶瓷的材料所能承受的范围内，使晶种固化在炉底，不熔化或漂浮，坩埚不会因为承受过大热应力而开裂。确保生产安全，并可提高生产效益。 | ||
| 搜索关键词： | 铸造 生产 类似 单晶硅 锭化料 加热 方法 | ||
【主权项】：
铸造法生产类似单晶硅锭化料加热方法，其特征在于，在铸锭炉生长类似单晶过程中，铸锭炉从室温开始升温至预定的最高温度过程中，采用以下控制措施：a在TC1≤1170摄氏度时，控制ΔT≤800摄氏度；b在TC1达到＞1170摄氏度时，控制150摄氏度≤ΔT≤400摄氏度；c当TC1达到预定的最高温度，进入抓晶种阶段。
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