[发明专利]一种几何约束下的电场诱导微复型方法

摘要

本发明公布了一种几何约束下电场诱导的微复型方法，该方法为：制备具有一定图形结构的模板，并进行相应的表面处理，在模板和涂覆有光固化胶的基材之间引入合适的电场，使光固化胶在电场力作用下完成微复型过程，然后用紫外线曝光固化，再采用干法氧气刻蚀进行后处理，从而制得与模板的图形结构互补的微纳结构。本发明可以广泛应用于各种微纳器件的加工，例如：芯片实验室、高电容解耦式电容器、太阳能电池、平板式显示器(OLED、SED、LCD)等。这种微复型工艺制备的图形结构与模板的图形结构相符，其特征结构尺寸为微米级至纳米级。

主权项

一种几何约束下的电场诱导微复型方法，其特征在于，包括以下步骤：1)模板的制备及处理制备具有图形结构的模板，并进行表面处理；2)基材的选择和匀胶采用硅片作为基材，利用匀胶机在其表面旋涂UV光固化胶，UV光固化胶的厚度为纳米级至微米级；3)将处理过的模板压在UV光固化胶上将处理过的模具压在UV光固化胶上，只要保证模板与UV光固化胶接触即可；4)外加直流电源采用直流电源，作为模板的ITO导电层接电源的正极，作为基材的高掺硅接电源负极，调节电压大小，使UV光固化胶所受的电场力足以克服表面张力，驱动光固化胶的流变行为；5)几何约束下的电诱导复型使UV光固化胶在稳定的电压下保持0.25小时到4小时，直至复型过程结束；6)UV光固化胶的固化在保持电压不变的情况下利用紫外光通过透明模板照射已完成复型的液态UV光固化胶，固化电诱导复型所得的微纳结构；7)脱模后处理利用氧气进行干法刻蚀，去除非图形区残余的UV光固化胶。