[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置有效

专利信息
申请号: 201110140669.7 申请日: 2011-05-26
公开(公告)号: CN102270459A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 桥本笃志;福岛隆之;黑川刚平 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/62 分类号: G11B5/62;G11B5/667;G11B5/851
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;田欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 磁记录介质和磁记录再生装置。本发明提供一种磁记录介质,是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质,其特征在于,所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成,并且,所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用了包含氧化钴且不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材的溅射而形成的。上述具有粒状结构的磁性层的磁性粒子的平均粒径通常为6nm以下,磁性粒子的平均粒子间隔通常为1.5nm以上。具有由这样被微细化并且扩大了粒子间隔的磁性粒子形成的粒状磁性层的磁记录介质,能够应对高于现有程度的高记录密度化,且电磁转换特性优异。
搜索关键词: 记录 介质 再生 装置
【主权项】:
一种磁记录介质,是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质,其特征在于,所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成,并且,所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用包含氧化钴且实质上不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材进行溅射而形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110140669.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top