[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置有效
申请号: | 201110140669.7 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102270459A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 桥本笃志;福岛隆之;黑川刚平 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/62 | 分类号: | G11B5/62;G11B5/667;G11B5/851 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 磁记录介质和磁记录再生装置。本发明提供一种磁记录介质,是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质,其特征在于,所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成,并且,所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用了包含氧化钴且不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材的溅射而形成的。上述具有粒状结构的磁性层的磁性粒子的平均粒径通常为6nm以下,磁性粒子的平均粒子间隔通常为1.5nm以上。具有由这样被微细化并且扩大了粒子间隔的磁性粒子形成的粒状磁性层的磁记录介质,能够应对高于现有程度的高记录密度化,且电磁转换特性优异。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 再生 装置 | ||
【主权项】:
一种磁记录介质,是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质,其特征在于,所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成,并且,所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用包含氧化钴且实质上不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材进行溅射而形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110140669.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。