[发明专利]光子晶体光纤低损耗熔接及端面处理方法无效
| 申请号： | 201110131464.2 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102169209A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李平雪;刘志;池俊杰;张雪霞 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/255 | 分类号： | G02B6/255;G02B6/25 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了光子晶体光纤低损耗熔接及端面处理方法，属于光子晶体光纤后续处理技术领域。步骤为：使用光纤切割刀切割光子晶体光纤和另一根与光子晶体光纤待熔接的光纤；根据两根光纤具体参数，对于模场直径不匹配的，将具有大直径的光纤施行拉锥处理，使之与另一根待熔光纤模场匹配；把两根端面处理后的光纤放在光纤熔接机进行熔接；通过熔接损耗测量，把符合要求的熔接后的光子晶体光纤那一侧端面进行塌陷处理，熔接后另一端光纤的端面用切割刀处理平整，然后两端使用研磨机进行研磨、抛光获得平整光滑的实心端面。本发明实现对接光纤的模场匹配，可以适合光子晶体光纤之间、以及光子晶体光纤与普通光纤之间的低损耗熔接。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 晶体 光纤 损耗 熔接 端面 处理 方法 | ||
【主权项】：
光子晶体光纤低损耗熔接及端面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)使用光纤切割刀切割光子晶体光纤和另一根与光子晶体光纤待熔接的光纤；(2)根据两根光纤具体参数，对于模场直径不匹配的，将具有大直径的光纤施行拉锥处理，使之与另一根待熔光纤模场匹配；(3)把两根端面处理后的光纤放在光纤熔接机进行熔接；(4)通过熔接损耗测量，把符合要求的熔接后的光子晶体光纤那一侧端面进行塌陷处理，熔接后另一端光纤的端面用切割刀处理平整，然后两端使用研磨机进行研磨、抛光获得平整光滑的实心端面。
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