[发明专利]一种阵列式光寻址电位传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种阵列式光寻址电位传感器，包括SOI衬底和在SOI衬底上形成的若干个隔离岛，隔离岛内的SOI衬底设有光寻址电位传感单元、扩散环、衬底电极和片上参考电极；本发明还公开了该阵列式光寻址电位传感器的制作方法，包括(1)制作隔离岛；(2)制作扩散环；(3)制作光寻址电位传感单元；(4)制作片上参考电极；(5)制作衬底电极。本发明通过采用SOI衬底结合隔离槽技术，有效提高了光寻址电位传感单元间的隔离度，且本发明独特的片上参考电极设计更有利于传感器的微型化、集成化。

主权项

一种阵列式光寻址电位传感器，其特征在于：包括SOI衬底和在SOI衬底上形成的若干个隔离岛；所述的SOI衬底上设有二氧化硅层；所述的隔离岛由SOI衬底的埋氧层和设置于SOI衬底的顶层硅中且连接二氧化硅层和埋氧层的环形隔离槽构成；所述的隔离岛内的顶层硅的顶部设有扩散环，所述的扩散环与环形隔离槽相连；所述的隔离岛内的二氧化硅层上设有与所述的扩散环对应的U型环状的衬底电极和包含在衬底电极所围成区域内的方环状的片上参考电极；所述的隔离岛内的二氧化硅层中设有若干接触孔，所述的接触孔连接所述的衬底电极与所述的扩散环；所述的片上参考电极所围成区域内集成有光寻址电位传感单元，所述的光寻址电位传感单元自底向上依次由顶层硅、二氧化硅层和敏感膜层构成。