[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110117418.7 | 申请日： | 2006-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102222464A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，其包括：晶体管；第一开关，其中所述晶体管的栅极电连接到所述第一开关的一端；第二开关，其中所述晶体管的栅极电连接到所述第二开关的一端；电连接到所述晶体管的源极和漏极中的一个的电极；以及电容器；其中所述电容器的第一端电连接到所述电极以及所述晶体管的源极和漏极中的所述一个，并且其中所述电容器的第二端电连接到所述晶体管的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管；第一开关，其中所述晶体管的栅极电连接到所述第一开关的一端；第二开关，其中所述晶体管的栅极电连接到所述第二开关的一端；电连接到所述晶体管的源极和漏极中的一个的电极；以及电容器；其中所述电容器的第一端电连接到所述电极以及所述晶体管的源极和漏极中的所述一个，并且其中所述电容器的第二端电连接到所述晶体管的栅极。
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