[发明专利]测试高压环境对标准单元库影响的方法无效
| 申请号： | 201110102756.3 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102262213A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;张翼;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | G01R31/317 | 分类号： | G01R31/317 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 高压 环境 标准 单元 影响 方法 | ||
【主权项】：
一种测试高压环境对标准单元影响的方法。测试不同距离高压器件的开关对标准单元的影响，以及高压器件开启时刻对于测试单元的影响。
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