[发明专利]体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法有效
| 申请号： | 201110072207.6 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102147828A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。本发明提出的等效电学模型完整地包括了体引出结构SOIMOSFET器件物理结构的各个部分，即体引出部分和主体部分对其电学特性的影响，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。 | ||
| 搜索关键词： | 引出 结构 soi 场效应 晶体管 等效 电学 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种体引出结构SOI场效应晶体管的等效电学模型，其特征在于：由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成；其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。
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