[发明专利]场发射器件无效
| 申请号： | 201110071684.0 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102201319A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 赵显升;金在敬;元龙建;柳承权;张东守 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J31/12 | 分类号： | H01J31/12;H01J29/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场发射器件，包括：第一基板，栅极线、阴极线和电子发射源形成在该第一基板上；第二基板，面对第一基板并与第一基板间隔开，阳极和磷光体层形成在该第二基板上；和侧框架，围绕第一基板与第二基板之间的区域，并形成密封的内部空间，其中第一基板在第一方向上偏离第二基板预定长度，该第一方向垂直于第一基板和第二基板彼此间隔开的方向，用于施加电压到栅极线和阴极线的后端子部形成在突出所述预定长度的突出区域上，其中阳极端子部的用于施加电压到阳极的一端接触阳极，阳极端子部的另一端暴露于侧框架的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 | ||
【主权项】：
一种场发射装置，包括：第一基板，栅极线、阴极线和电子发射源形成在该第一基板上；第二基板，面对所述第一基板并与所述第一基板间隔开，阳极和磷光体层形成在该第二基板上；和侧框架，围绕所述第一基板与所述第二基板之间的区域，并形成密封的内部空间，其中所述第一基板在第一方向上偏离所述第二基板预定长度，该第一方向垂直于所述第一基板和所述第二基板彼此间隔开的方向，用于施加电压到所述栅极线和所述阴极线的后端子部形成在突出所述预定长度的突出区域上，其中用于施加电压到所述阳极的阳极端子部的一端接触所述阳极，所述阳极端子部的另一端暴露于所述侧框架的外部。
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