[发明专利]一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱

摘要

本发明公开了一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱，该聚西佛碱包含结构单元：其中，n为正整数，R₀为氢原子、C1-C20的脂肪或芳香基团，基本单元X、Y为具体结构单元(a)至(m)中的一种或两种以上的组合。本发明的聚西佛碱合成简单，具有良好的热稳定性与易加工性，在外电场作用下表现出电阻转变现象，因此可作为新型的存储材料用于电阻型随机存储器中。与现有的电阻型存储材料相比，本发明的聚西佛碱充分发挥了聚合物作为电子材料的诸多优势，例如，良好的加工性能、优异的延展性和丰富的结构变换及设计等，是一种具有发展潜力的新型的电阻型存储材料。

主权项

1.一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱，其特征是：包含如下结构单元：其中，n为正整数，R₀为氢原子、C1-C20的脂肪或芳香基团，基本单元X、Y分别为以下结构单元(a)至(m)中的一种或两种以上的组合，其中A为硝基、磺酸基、磺酸盐、硝基、卤仿基、季胺基，A的取代位置可以为2，2，2’-或3，3’-；其中A为硝基、磺酸基、磺酸盐、硝基、卤仿基、季胺基，A的取代位置可以为2，2，2’-或3，3’-；其中W为二价基团，W的取代位置可以位于两个羰基的邻位、间位或者对位；R₁和R₂分别为氢原子、脂肪或芳香基团；其中V为二价基团，V的取代位置可以为3，3’-，4，4’-，或者3，4’-；R₃和R₄分别为氢原子、脂肪或芳香基团；其中，R₅为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₆和R₇为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₈和R₉为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₀和R₁₁为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₂和R₁₃为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₄为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₆为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，Q为NH，O或者S，R₁₇为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₈和R₁₉为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团。