[发明专利]抛光台间清洗晶圆的方法有效
| 申请号： | 201110057686.4 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102179771A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李协吉;李儒兴;邵尔剑;李志国 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B55/00 | 分类号： | B24B55/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种抛光台间清洗晶圆的方法，包括：当抛光过程中发生报警后，将吸附晶圆的抛光头向抛光台间45°位置偏转角度θ，使所述晶圆中心偏离抛光台间清洗装置的喷嘴中心线的距离为D，D不大于所述喷嘴向所述晶圆喷射去离子水所形成的清洗死角宽度的1/2；旋转所述抛光头；向所述晶圆喷射去离子水。本发明能解决晶圆转到抛光台间45°位置进行清洗时形成的清洗死角问题，防止了抛光液对晶圆表面的化学腐蚀而产生缺陷，同时也提高了抛光台间清洗装置的清洗效率。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种抛光台间清洗晶圆的方法，其特征在于，包括：当抛光过程中发生报警后，将吸附晶圆的抛光头向抛光台间45°位置偏转角度θ，使所述晶圆中心偏离抛光台间清洗装置的喷嘴中心线的距离为D，D不大于所述喷嘴向所述晶圆喷射去离子水所形成的清洗死角宽度的1/2；旋转所述抛光头；向所述晶圆喷射去离子水。
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