[发明专利]一种高纯氟化镁晶体的生产方法无效

专利信息
申请号: 201110056251.8 申请日: 2011-03-09
公开(公告)号: CN102674410A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 侯红军;杨华春;薛旭金;于贺华;张辉;常运昌;王建萍;马小芬;孙新建;张凯 申请(专利权)人: 多氟多化工股份有限公司
主分类号: C01F5/28 分类号: C01F5/28
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 牛爱周
地址: 454191 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种高纯氟化镁晶体的生产方法,包括以下步骤:(1)将碳酸镁与水混合,搅拌,配制成碳酸镁悬浮液,向该碳酸镁悬浮液中通入CO2气体进行碳化,得反应液A;(2)将氟硅酸氨解,制得氟化铵溶液或氟化氢铵溶液;(3)将反应液A与氟化铵溶液或氟化氢铵溶液混合,反应得到高纯氟化镁料浆,反应过程中生成的CO2气体经收集后返回用于碳化反应,反应过程中生成的氨气经收集后使用;(4)高纯氟化镁料浆经过滤,滤液返回用于配制碳酸镁悬浮液,滤饼为高纯氟化镁软膏,滤饼经洗涤、干燥,烧结,得高纯氟化镁晶体。本发明具有较好的经济效益、社会效益和环保效益,适合推广应用。
搜索关键词: 一种 高纯 氟化 晶体 生产 方法
【主权项】:
一种高纯氟化镁晶体的生产方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将碳酸镁与水混合,搅拌,配制成重量百分比浓度为1%~10%的碳酸镁悬浮液,向该碳酸镁悬浮液中通入CO2气体,CO2气体的分压力为0.2~10个大气压,碳化反应2~40小时,控制反应温度为1℃~30℃,之后得反应液A,备用;(2)将氟硅酸氨解,制得重量百分比浓度为5~50%的氟化铵溶液或氟化氢铵溶液;(3)将步骤(1)所得反应液A与步骤(2)得到的氟化铵溶液或氟化氢铵溶液混合,得混合液B,混合液B中所含镁元素、氟元素的摩尔比为:Mg元素:F元素=1:(1~3),混合液B在5~80℃下反应0.5~7小时,得到高纯氟化镁料浆,反应过程中生成的CO2气体经收集后返回步骤(1),用于碳化反应,反应过程中生成的氨气经收集后返回步骤(2)使用;(4)步骤(3)所述高纯氟化镁料浆经过滤,滤液返回步骤(1),用于配制碳酸镁悬浮液,滤饼为高纯氟化镁软膏,滤饼经洗涤、干燥,之后在450~600℃下烧结5~18小时,即得高纯氟化镁晶体。
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