[发明专利]新型温度梯度晶体定向生长方法无效
| 申请号： | 201110055751.X | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102154684A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 柳祝平;黄小卫 | 申请（专利权）人： | 元亮科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种新型温度梯度晶体定向生长方法，涉及晶体生长新技术，其特征在于：把加热体在垂直方向上，分成1～N组，每组加热体都可以独立进行0～100％的功率控制，利用每组加热体功率不同的分布组合可以方便的实现温度梯度的分布，进行不同晶体的生长。可以模拟实现温度梯度法(TGT)、热交换法(HEM)和坩埚下降法生产晶体。有益效果是通过调节功率实现不同梯度来调节温场，可以方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，同时提高了设备的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 温度梯度 晶体 定向 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种新型温度梯度晶体定向生长方法，其特征在于：把加热体在垂直方向上，分成1～N组(N＝2～1000)，每组加热体都可以独立进行0～100％的功率控制，利用每组加热体功率不同的分布组合可以方便的实现温度梯度的分布，进行不同晶体的生长，可以模拟实现温度梯度法(TGT)、热交换法(HEM)和坩埚下降法生产晶体。有益效果是通过调节功率实现不同梯度来调节温场，可以方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，同时提高了设备的利用率。
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