[发明专利]超晶格纳米器件无效
| 申请号： | 201110053809.7 | 申请日： | 2005-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102153047A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 姚湲;褚卫国;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超晶格纳米器件。该超晶格纳米器件包括至少一个结构单元，该结构单元包括：一第一电极，其包括一基底及形成在该基底上的一一维纳米结构；一功能层，其位于该基底上并环绕上述一维纳米结构；及一第二电极，其与该第一电极电绝缘，且该第二电极环绕上述功能层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 纳米 器件 | ||
【主权项】：
一种超晶格纳米器件，其包括至少一个结构单元，该结构单元包括：一第一电极，其包括一基底及形成在该基底上的一一维纳米结构；一功能层，其位于该基底上并环绕上述一维纳米结构；及一第二电极，其与该第一电极电绝缘，且该第二电极环绕上述功能层。
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