[发明专利]宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法无效
| 申请号： | 201110052364.0 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102148479A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 高卓;王俊;熊聪;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/24 | 分类号： | H01S5/24;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种宽面808nm分立模式半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一镓砷衬底；步骤2：在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层；步骤3：采用光刻技术，在P型帽层的表面制备出刻蚀的掩膜图形；步骤4：在P型帽层上向下刻蚀，形成凸起的宽面结构，同时在凸起的宽面结构上面的一侧沿纵向刻蚀形成多个非周期分布的刻槽结构，刻槽结构的刻蚀深度到达刻蚀截至层的表面，完成器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 808 nm 分立 模式 半导体激光器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种宽面808nm分立模式半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一镓砷衬底；步骤2：在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层；步骤3：采用光刻技术，在P型帽层的表面制备出刻蚀的掩膜图形；步骤4：在P型帽层上向下刻蚀，形成凸起的宽面结构，同时在凸起的宽面结构上面的一侧沿纵向刻蚀形成多个非周期分布的刻槽结构，刻槽结构的刻蚀深度到达刻蚀截至层的表面，完成器件的制备。
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