[发明专利]基于一维软模板纳米压印制作三维纳米网格结构的方法

摘要

本发明属于微纳制造技术领域，具体为基于一维软模板纳米压印技术制作大面积三维纳米网格结构的方法。其步骤包括：利用软模板进行第一次纳米压印，然后采用氧RIE刻蚀去除压印胶残留层。利用制作的压印胶图形为掩膜刻蚀基底材料，去胶后得到一维纳米光栅结构。利用与前一次压印和刻蚀工艺相同的参数，进行第二次压印和刻蚀工艺。在第二次压印中，调整模板方向与第一次压印时模板方向呈0°-90°夹角。最终得到具有亚25nm纳米点的三维纳米网格结构。本发明使用的软模板可以有效避免硬模板与硬性基底接触造成的永久性损伤，同时避免了三维模板的使用。制作的纳米结构的尺寸和形状可控。本发明的方法成本低，效率高、可控性好和分辨率高。

主权项

一种基于一维软模板纳米压印技术制作三维纳米网格结构的方法，其特征包括以下步骤：(1)第一次纳米压印工艺：在基底上旋涂压印胶，利用一维软模板进行纳米压印，得出一维纳米光栅结构的压印胶图形，然后采用氧反应离子刻蚀技术去除压印残胶层；对于氧反应离子刻蚀技术，通过控制刻蚀参数得到不同线宽的压印胶图形；(2)第一次刻蚀工艺：以步骤(1)中去除残胶层的压印胶图形为掩膜刻蚀基底材料，刻蚀工艺为湿法刻蚀或者干法刻蚀工艺；去除残留压印胶掩模后得到基底材料的一维纳米光栅结构；(3)第二次纳米压印：利用与步骤(1)相同的工艺参数得到去除残胶层的一维纳米光栅结构压印胶图形，但软模板上的光栅线条方向和压印基底材料的一维纳米光栅结构上的光栅呈0°‑90°间的任意角度；(4)第二次干法刻蚀：以去除残胶层的压印胶图形为刻蚀掩模，利用与步骤(2)相同的刻蚀工艺步骤得到具有亚25纳米尺寸纳米点的三维纳米网格结构。